电池的少子寿命,电池少子寿命和什么因素有关

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于电池的少子寿命的问题，于是小编就整理了2个相关介绍电池的少子寿命的解答，让我们一起看看吧。

1. 单晶的少子寿命与原生多晶硅检测出来的少子寿命有什么关系？
2. 什么是N电池？

单晶的少子寿命与原生多晶硅检测出来的少子寿命有什么关系？

um（微米）是长度单位，是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒） 少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的，一个是指能“跑多远”，一个是指能“活多久”，表述不同而已 少子寿命是越大越好，就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了，如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率。

现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10。处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命。一、单晶硅少子寿命测试仪产品介绍： 1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、 配备专用软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、 配置两种波长的红外光源： a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。二、单晶硅少子寿命测试仪测量范围可直接测量： a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25μS—10ms

什么是N电池？

N型电池具有杂质少、纯度高、少子寿命高、无晶界位错缺陷以及电阻率容易控制等天生材料优势。

P型电池少子是电子，N型电池少子是空穴，硅片中的杂质对电子的捕获远大于空穴，在相同金属杂质污染的情况下，N型电池表面复合速率低，少子寿命要比P型电池高出1-2个数量级。少子寿命高有利于对外输出电流，同等光照条件下，转换的光能则会更多，转换效率更高。

“N 型电池掺杂磷,磷比硅多一个电子,使电池带负电。N 型电池没有P型电池出现的硼氧复合体,因此它们不受光致衰减 (LID) 的影响,在寿命期内衰减较少。N型晶硅电池凭借高转化效率、高可靠性及产业化可行性,有望成为下一代电池技术。 市面上大多数组件都使用 P 型电池,这种电池的衰减速度会快一些,但仍能保持 30 多年的良好性能。 但随着 N 型技术的进步和成本的下降,市面上会出现越来越多的N型电池。”

到此，以上就是小编对于电池的少子寿命的问题就介绍到这了，希望介绍关于电池的少子寿命的2点解答对大家有用。