大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于锗电池寿命的问题，于是小编就整理了2个相关介绍锗电池寿命的解答，让我们一起看看吧。
超高纯锗材料用途及前景？
超高纯锗材料是指纯度达到99.99999%的锗材料，也被称为7N级别锗材料。它具有以下的用途和前景：
1. 半导体材料：超高纯锗材料具有电学性能稳定、低噪声、热特性优异等特点，是集成电路和半导体器件制造过程中的重要材料。它可以制备高速高频器件、太赫兹光学器件、光电探测器、X射线谱仪等应用。
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2. 伽马射线探测器材料：超高纯锗材料对于伽马射线具有较高的吸收率，可以用于成像、核物理方向的研究。
3. 铅酸蓄电池材料：锗作为铅酸蓄电池的材料，能够改善发电效率和电池寿命，同时具有环境友好的特点，具有一定的应用前景。
4. 医疗材料：锗材料对于人体辐射具有较高的吸收度，可以应用于医疗领域。
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单晶的少子寿命与原生多晶硅检测出来的少子寿命有什么关系？
um（微米）是长度单位，是指少子的扩散长度；少子寿命的单位是us（微秒） 少子扩散长度和少子寿命基本上是等同的，一个是指能“跑多远”，一个是指能“活多久”，表述不同而已 少子寿命是越大越好，就目前的太阳能级硅来说能有5us已经不错了，如果太低（如小于1us）将严重影响电池效率。
现在太阳能企业要求越来越高,多晶要求大于2,单晶要求大于10。处于热平衡状态下的半导体，在一定温度下，载流子的浓度是一定的，称为平衡载流子浓度, 如果对半导体施加外界作用,破坏了热平衡的条件，称为非平衡状态。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子。非平衡载流子分为非平衡多数载流子和非平衡少数载流子, 对于n型半导体材料，多出来的电子就是非平衡多数载流子,空穴则是非平衡少数载流子。对p型半导体材料则相反, 产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们要逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡时的值, 非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命。一、单晶硅少子寿命测试仪产品介绍： 1、 可测量太阳能级多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光，直接对切割面或研磨面进行测量。同时可测量多晶硅检验棒及集成电路、整流器、晶体管级硅单晶的少子寿命。2、 可测量太阳能级单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命，表面无需抛光、钝化。3、 配备专用软件的数字示波器，液晶屏上直接显示少子寿命值，同时显示动态光电导衰退波形，并可联用打印机及计算机。4、 配置两种波长的红外光源： a、红外光源，光穿透硅晶体深度较深≥500μm，有利于准确测量晶体少数载流子体寿命。b、短波长红外脉冲激光器，光穿透硅晶体深度较浅≈30μm，但光强较强，有利于测量低阻太阳能级硅晶体。二、单晶硅少子寿命测试仪测量范围可直接测量： a、研磨或切割面：电阻率≥0.3Ω•㎝的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命，切割片的少子相对寿命。b、抛光面：电阻率在0.3～0.01Ω•㎝范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。寿命可测范围 0.25μS—10ms到此，以上就是小编对于锗电池寿命的问题就介绍到这了，希望介绍关于锗电池寿命的2点解答对大家有用。
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